Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z, 1000В, 2,2А, TO247 (5 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM037228
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z, 1000В, 2,2А, TO247 (5 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO247 для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрен-джерело: 1000 В (1 кВ)
- Струм дрену: 2,2 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Опір у стані провідності: 3,7 Ом
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Висока напруга та потужність
Транзистор розрахований на напругу дрен-джерело 1000 В (1 кВ) та струм дрену 2,2 А. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт.
Технологія SuperMESH3™
Виріб виготовлено за технологією SuperMESH3™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 3,7 Ом, що є ключовим параметром для розрахунку тепловиділення при роботі транзистора.
Зручний монтаж та комплектація
Корпус TO247 та тип монтажу THT (through-hole technology). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3700 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMESH3™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴