Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4, 650В, 26,5А, TO247-4 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4 — це силовий напівпровідниковий прилад технології MDmesh™ V, призначений для роботи в силових електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247-4 з монтажем THT, що забезпечує надійне кріплення та відведення тепла.

• Струм дрена 26,5 А
• Напруга дрена-джерела 650 В
• Опір у стані провідності 56 мОм
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
• Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 26,5 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням. Потужність розсіювання становить 250 Вт, що вимагає ефективного охолодження.

Технологія MDmesh™ V

Використання технології MDmesh™ V забезпечує низький опір у стані провідності 56 мОм. Такий показник зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це критично важливо для підвищення ККД пристрою та збільшення його ресурсу.

Зручний монтаж та захист

Компонент має корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна, що спрощує вимірювання та керування затримками перемикання. Наявність виведення Кельвіна дозволяє краще контролювати процес перемикання та зменшувати шуми. Компонент має версію ESD.

Комплектація

Упаковка містить 5 транзисторів STW57N65M5-4. Такий набір зручний для прототипування або серійного виробництва невеликих партій обладнання.

Транзистор підходить для проектів, де важливі високі параметри напруги та струму.