Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW48NM60N, 600В, 28А, 330Вт, TO247 (3 шт.)
2 330 ₴
- В наявності
- Код: TM078983
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW48NM60N — це уніполярний польовий транзистор з технологією MDmesh™ II, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом до 28 А. Товар поставляється комплектом із 3 штук у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з технологією MDmesh™ II
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 28 А
- Потужність розсіювання: 330 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 3 штуки
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 28 А. Потужність розсіювання становить 330 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 55 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи вставляються в отвори на друкованій платі та припаюються з іншого боку.
Технологія MDmesh™ II
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ II від STMicroelectronics. Це уніполярний N-канальний MOSFET з підвищеним каналом (enhancement mode). Максимальна напруга затвор-витік становить ±25 В.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ II |
- Ціна: 2 330 ₴