Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG, 600В, 21А, TO247 (3 шт.)
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM078981
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG, 600В, 21А, TO247 (3 шт.)В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга витоку-джерела: 600 В
- Струм витоку: 21 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 85 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ DM2
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Технічні характеристики
Прилад є уніполярним польовим транзистором з каналом типу N та збагачуваним каналом. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 600 В, а постійний струм витоку — 21 А. Опір у відкритому стані дорівнює 85 мОм.
Потужність та технологія
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт. Допустима напруга на затворі обмежена ±25 В.
Комплектація
До складу товару входить 3 транзистори STW45N60DM2AG.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴