Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW34NM60N, 600V, 20A, TO247 (3 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM078979
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW34NM60N, 600V, 20A, TO247 (3 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW34NM60N — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виконаний у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 одиниць.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 20 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 92 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ II
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Технічні характеристики
Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 20 А. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт, а опір у стані провідності — 92 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ II. Корпус TO247 призначений для вивідного монтажу (THT).
Комплектація
У наборі постачається 3 транзистори STW34NM60N.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 92 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴