Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2, 650В, 15,5А, TO247 (5 шт.)
2 660 ₴
- В наявності
- Код: TM020992
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2, 650В, 15,5А, TO247 (5 шт.)В наявності
2 660 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247, що забезпечує зручність для масового монтажу або створення запасу компонентів.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Постійний струм дрена: 15,5 А
- Імпульсний струм дрена: 96 А
- Розсіювана потужність: 190 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 15,5 А. Імпульсний струм дрена може досягати 96 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 190 Вт.
Зручний монтаж та комплектація
Компонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж). У комплекті постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 660 ₴