Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, 600 В, 12,6 А, TO247 (3 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM078976
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, 600 В, 12,6 А, TO247 (3 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 однакових транзисторів, що реалізують технологію MDmesh™ II.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 140 Вт
- Опір у стані провідності: 135 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 3 шт.
Напруга та струм
Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 12,6 А.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 140 Вт,. Опір у стані провідності дорівнює 135 мОм, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 135 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴