Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM50, 500 В, 18,9 А, TO247 (2 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM078975
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM50, 500 В, 18,9 А, TO247 (2 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW26NM50 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 500 В та струмом до 18,9 А. Пакет містить два транзистори у корпусі TO247 із технологією MDmesh™.
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 18,9 А
- Потужність розсіювання: 313 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 500 В та максимальний струм дрена 18,9 А. Потужність розсіювання становить 313 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,1 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247 із технологією MDmesh™. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори).
Комплектація
У комплекті постачається 2 транзистори STW26NM50.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 313 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴