Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, 600В, 12А, TO247 (набір 10 шт.)
3 250 ₴
- В наявності
- Код: TM037226
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, 600В, 12А, TO247 (набір 10 шт.)В наявності
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ II Plus у корпусі TO247. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 12 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Опір у відкритому стані: 168 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ II Plus
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Прилад має напругу стік-витік 600 В та струм стоку 12 А. Потужність розсіювання становить 150 Вт, а опір у відкритому стані — 168 мОм. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±25 В.
Монтаж та корпус
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ II Plus. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж). Корпус TO247.
Комплектація та захист
У комплекті постачається 10 транзисторів. Версія приладу має захист ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 168 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 250 ₴