Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NK50Z, 500В, 12.6А, TO247, набір 5 шт.
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM078973
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NK50Z, 500В, 12.6А, TO247, набір 5 шт.В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NK50Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 12,6 А. Товар постачається набором із 5 штук у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™, версія ESD
- Набір: 5 штук
Технічні параметри та потужність
Транзистор витримує напругу дрена-джерела 500 В та максимальний струм дрена 12,6 А. Потужність розсіювання становить 190 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,27 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.
Технологія та захист
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду.
Комплектація
У комплекті надається 5 транзисторів STW20NK50Z.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 270 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴