Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2, 650В, 8А, TO247 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією MDmesh™ II Plus, призначений для високовольтних застосувань. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO247, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонтних робіт.

• Набір із 10 транзисторів для серійного монтажу
• Максимальна напруга стік-витік 650 В
• Струм стоку 8 А та потужність розсіювання 110 Вт
• Низький опір у відкритому стані 255 мОм
• Корпус TO247 для монтажу в отвори (THT)
• Технологія MDmesh™ II Plus та захист ESD

Потужність та струм

Максимальний струм стоку становить 8 А, а потужність розсіювання — 110 Вт, що гарантує стабільну роботу під навантаженням. Напруга затвор-витік обмежена ±25 В, що вимагає дотримання параметрів керуючого сигналу. Ці параметри визначають тепловий режим пристрою.

Високовольтні характеристики

Транзистор розрахований на робочу напругу стік-витік до 650 В, що дозволяє використовувати його в імпульсних джерелах живлення та інверторах. Висока напруга пробитю забезпечує запас міцності в мережевих схемах. Це критично для безпеки та надійності високовольтних вузлів.

Технологія MDmesh™ II Plus

Використання технології MDmesh™ II Plus забезпечує низький опір у відкритому стані — 255 мОм. Це зменшує теплові втрати на компоненті та підвищує загальний ККД пристрою. Транзистор є уніполярним із каналом збагачувального типу, що спрощує схемотехнічне рішення.

Монтаж та захист ESD