Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2, 600В, 7,6А, TO247 (10 шт.)
2 980 ₴
- В наявності
- Код: TM020990
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2, 600В, 7,6А, TO247 (10 шт.)В наявності
2 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2 — це силовий напівпровідниковий прилад технології MDmesh™ DM2 у корпусі TO247. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 7,6 А
- Потужність розсіювання: 90 Вт
- Опір у стані провідності: 0,26 Ом
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ DM2, версія ESD
- Комплектація: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 7,6 А. Потужність розсіювання становить 90 Вт.
Технологія MDmesh™ DM2
Використання технології MDmesh™ DM2 забезпечує низький опір у стані провідності 0,26 Ом. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.
Захист ESD та монтаж
Компонент має версію ESD. Тип монтажу THT (through-hole technology). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Комплект із 10 транзисторів STW18N60DM2 у корпусі TO247.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 980 ₴