Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW13NK100Z, 1000В, 8.2А, 350Вт, TO247 (3 шт.)

2 710 ₴

  • В наявності
  • Код: TM020989
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW13NK100Z, 1000В, 8.2А, 350Вт, TO247 (3 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW13NK100Z, 1000В, 8.2А, 350Вт, TO247 (3 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW13NK100Z — це потужний напівпровідниковий прилад для високовольтних застосувань. Комплект із 3 штук забезпечує необхідну кількість компонентів для складання електронних схем. Модель вирізняється технологією SuperMesh™ та захистом ESD, що підвищує надійність роботи в умовах статичної електрики.

  • Напруга дрена-джерела 1000 В для високовольтних застосувань
  • Струм дрена 8.2 А та потужність розсіювання 350 Вт
  • Технологія SuperMesh™ для оптимізованих характеристик
  • Захист ESD для підвищеної стійкості до статичної електрики
  • Корпус TO247 з монтажем THT для надійного кріплення
  • Комплект із 3 транзисторів для зручного складання схем

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1000 В та струм дрена 8.2 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями. Потужність розсіювання 350 Вт гарантує стабільну роботу при значних теплових навантаженнях.

Технологія SuperMesh™ та захист ESD

Використання технології SuperMesh™ оптимізує структуру кристала для кращих комутаційних характеристик. Наявність версії ESD захищає вхід транзистора від пошкоджень через статичну електрику під час монтажу та експлуатації. Це важливо для зменшення кількості дефектів у виробничих умовах.

Зручний монтаж THT у корпусі TO247

Компонент виконаний у корпусі TO247 з типом монтажу THT (скрізний монтаж). Таке виконання забезпечує надійний контакт із друкованою платою та ефективне відведення тепла через металеву пластину корпусу. Корпус TO247 є стандартом для потужних силових транзисторів, що спрощує інтеграцію в існуючі проекти.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 0.56 Ом. Низьке значення опору зменшує втрати енергії на нагрівання транзистора під час роботи. Це сприяє підвищенню загального ККД пристрою та зниженню вимог до системи охолодження.

Стабільна робота при високих навантаженнях Транзистор має напругу дрена-джерела 1000 В та струм дрена 8.2 А. Потужність розсіювання 350 Вт дозволяє компоненту ефективно працювати в силових ланцюгах із значними тепловими навантаженнями. Це забезпечує надійність пристрою навіть у складних умовах експлуатації. Транзистор STW13NK100Z призначений для інженерів та техніків, які працюють із високовольтними силовими схемами. Комплект із 3 штук зручний для прототипування або серійного виробництва невеликих партій обладнання.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання350 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік1000 В
Максимально допустимий струм стоку8.2 А
Опір у відкритому стані (Rds)560 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті3 шт.
КорпусTO247
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 710 ₴