Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247, ESD — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — це уніполярний компонент із напругою 800 В та струмом 6,6 А. Модель у корпусі TO247 з технологією SuperMesh™ забезпечує ефективне розсіювання тепла та стабільну роботу під навантаженням.

• Напруга дрена-джерела 800 В
• Струм дрена 6,6 А та потужність розсіювання 190 Вт
• Корпус TO247 з монтажем THT
• Вбудований захист від електростатичного розряду (ESD)
• Технологія SuperMesh™ зі опором провідності 0,65 Ом
• Набір із 5 транзисторів у комплекті

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 6,6 А.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 190 Вт, що вимагає належного охолодження, але гарантує стабільну роботу при значних навантаженнях. Корпус TO247 з монтажем THT забезпечує механічну міцність та зручність встановлення на друковані плати.

Захист від електростатичного розряду

Версія ESD.

Технологія SuperMesh™

Технологія SuperMesh™. Опір у стані провідності становить 0,65 Ом.

Комплектація

Товар поставляється як набір із 5 транзисторів.