Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80, 800В, 8А, TO247 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В та струмом до 8 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247, виготовлених за технологією MDmesh™.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стіка: 8 А
• Потужність розсіювання: 150 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Прилад має напругу стік-витік 800 В та максимальний струм стіка 8 А. Потужність розсіювання становить 150 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,35 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO247. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT).

Комплектація

У пакеті поставки знаходиться 5 транзисторів STW11NM80.