Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK80Z, 800В, 6А, TO247 (5 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM078968
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK80Z, 800В, 6А, TO247 (5 шт.)В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK80Z — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В та струмом до 6 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247, призначений для монтажу в отвори друкованих плат.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга витоку-джерела: 800 В
- Струм витоку: 6 А
- Потужність розсіювання: 160 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між витоком та джерелом 800 В та постійний струм витоку 6 А. Потужність розсіювання становить 160 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,9 Ом, а допустима напруга на затворі — ±30 В.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його ключові характеристики. Корпус TO247 та тип монтажу THT (навісний) передбачають встановлення в отвори друкованих плат.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴