Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK60Z, 600В, 5,7А, TO247 (5 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM037221
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK60Z, 600В, 5,7А, TO247 (5 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW10NK60Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 5 елементів.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 5,7 А
- Потужність розсіювання: 156 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 5,7 А. Напруга затвор-джерело допустима в межах ±30 В.
Технологія та конструкція
Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а тип структури — N-MOSFET. Корпус TO247 та тип монтажу THT (скрізний монтаж).
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 156 Вт, а опір у стані провідності — 0,75 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 156 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴