
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU2NK100Z, 1000В, 1,16А, IPAK, ESD — набір 20 шт.
3 460 ₴
- В наявності
- Код: TM020986
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU2NK100Z — це уніполярний компонент із захистом від електростатичного розряду (ESD), призначений для роботи в ланцюгах із високою напругою. Комплект складається з 20 штук, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту обладнання.
- Напруга дрена-джерела: 1000 В
- Струм дрена: 1,16 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж THT
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Комплект: 20 штук
Висока напруга та надійність
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела до 1000 В. Максимальний струм дрена становить 1,16 А, а потужність розсіювання — 70 Вт. Використовується технологія SuperMesh™.
Захист від статичної електрики
Версія ESD вбудованого захисту захищає вхід транзистора від пошкоджень через електростатичний розряд. Захист ESD захищає вхід транзистора від пошкоджень через електростатичний розряд.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі IPAK із технологією монтажу THT (through-hole technology). Компонент виконаний у корпусі IPAK із технологією монтажу THT (through-hole technology).
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів STU2NK100Z.
Транзистор STMicroelectronics STU2NK100Z з захистом ESD та корпусом IPAK.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 3 460 ₴
