Тиристорний модуль SIRECTIFIER STT181GK12B, 181 А, 1,2 кВ

Тиристорний модуль SIRECTIFIER STT181GK12B — це напівпровідниковий компонент із подвійною послідовною структурою. Модуль має номінальний струм провідності 181 А та максимальну зворотну напругу 1,2 кВ.

• Номінальний струм провідності 181 А
• Максимальний струм провідності 300 А
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Максимальний імпульсний струм 5,25 кА
• Корпус розміром 34 мм
• Монтаж: прикручування та конектори FASTON

Струмові характеристики

Модуль працює з номінальним струмом провідності 181 А, а максимальний струм провідності (Ifmax) становить 300 А. Максимальний імпульсний струм досягає 5,25 кА. Максимальна напруга провідності дорівнює 1,65 В, а порогова напруга включення — 0,88 В. Струм керування затвором (gate current) становить 150 мА.

Конструкція та монтаж

Компонент має подвійну послідовну структуру напівпровідника та виготовлений у корпусі розміром 34 мм. Елементи напівпровідника мають скляне пасивування (glass passivated). Механічний монтаж здійснюється за допомогою прикручування, а електричне з'єднання реалізовано через конектори FASTON або прикручування.