Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, 60В, 3А, SO8 (набір 10 шт.)
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM078920
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, 60В, 3А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор STMicroelectronics STS4DNF60L — це подвійний N-канальний MOSFET у корпусі SO8 для SMD-монтажу. Комплект складається з 10 елементів.
- Подвійний N-MOSFET транзистор
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 3 А
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 65 мОм
- Корпус SO8 для SMD-монтажу
- Комплект: 10 штук
Електричні параметри
Пристрій працює з напругою стік-витік до 60 В та струмом стоку 3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2,5 Вт, а опір у відкритому стані — 65 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Технологія та монтаж
Використано технологію STripFET™ II. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SO8.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴