Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS1DNC45, 450 В, 0,25 А, SO8 (набір 10 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM037201
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS1DNC45, 450 В, 0,25 А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS1DNC45 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на монтаж поверхонь (SMD) у корпусі SO8 та поставляється набором із 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 450 В
- Постійний струм стоку: 0,25 А (імпульсний до 1,6 А)
- Розсіювана потужність: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-джерело 450 В та постійний струм стоку 0,25 А. Імпульсний струм стоку становить 1,6 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж). Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 4,5 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 450 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴