Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, SOT23, -30В, -1,2А (40 шт.)

Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -1,2 А (постійний), -8 А (імпульсний)
• Опір у стані провідності: 90 мОм
• Комплектація: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела -30 В та постійний струм дрена -1,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -8 А. Опір у стані провідності становить 90 мОм, а максимальна розсіювана потужність — 0,35 Вт.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією STripFET™. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 6 нКл.