Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5, SOT23, 20V, 1,4A (набір 20 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM078910
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5, SOT23, 20V, 1,4A (набір 20 шт.)В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається набором із 20 штук.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 1,4 А (постійний), 9,2 А (імпульсний)
- Опір у відкритому стані: 40 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 20 штук
Технічні характеристики
Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та постійний струм стіка 1,4 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 9,2 А. Опір у відкритому стані становить 40 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В, а заряд затвора — 4,6 нКл.
Корпус та технологія
Транзистор виготовлений за технологією STripFET™. Компактний корпус SOT23. Потужність розсіювання становить 0,35 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | STripFETTM |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴