Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP, 600 В, 0,5 А, комплект 20 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM078908
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP, 600 В, 0,5 А, комплект 20 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO92 Formed для монтажу в отвори (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 0,5 А (постійний), 2 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 3 Вт
- Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком і витоком 600 В та постійний струм стоку 0,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 2 А, а максимальна розсіювана потужність становить 3 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Монтаж та конструкція
Прилад виконаний у корпусі TO92 Formed. Призначений для монтажу в отвори друкованої плати. Заряд затвора становить 11 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴