Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP, 800 В, 250 мА (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO92 Formed з виводами для монтажу на друковану плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 800 В
• Струм стіку: 250 мА (постійний), 5 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 2,5 Вт
• Опір у відкритому стані: 16 Ом
• Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока напруга та струм

Компонент працює з напругою стік-виток до 800 В. Постійний струм стіку становить 250 мА, а в імпульсному режимі він може досягати 5 А.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 16 Ом, що впливає на тепловий режим при проходженні струму. Заряд затвора — 7,7 нКл, а допустима напруга затвор-виток — ±30 В.