Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM037200
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 300 мА (постійний), 0,189 А (імпульсний)
- Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
- Розсіювана потужність: 3 Вт
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 600 В та постійний струм стоку 300 мА. У імпульсному режимі допустимий струм становить 0,189 А.
Монтаж та комплектація
Елементи мають корпус TO92 Formed, що забезпечує виведення для встановлення на плату методом THT (скрізний монтаж). У упаковці знаходиться 30 транзисторів.
Потужність та керування
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 3 Вт. Напруга на затворі відносно витоку може змінюватися в межах ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.3 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴