Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65ZFP, 650В, 6,4А, TO220FP (10 шт.)

1 900 ₴

  • В наявності
  • Код: TM078850
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65ZFP, 650В, 6,4А, TO220FP (10 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65ZFP, 650В, 6,4А, TO220FP (10 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65ZFP — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 650 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
  • Максимальна напруга стік-витік: 650 В
  • Постійний струм стіка: 6,4 А (імпульсний: 25,6 А)
  • Потужність розсіювання: 30 Вт
  • Корпус: TO220FP, монтаж THT
  • Комплектація: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 6,4 А. Імпульсний струм стіка становить 25,6 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, а опір у відкритому стані — 1,2 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 41 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP,. Монтаж здійснюється в отвори (THT). Канал транзистора — збагачуваний, тип — N-MOSFET. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 41 нКл. Опір у відкритому стані становить 1,2 Ом, а потужність розсіювання — 30 Вт.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання30 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік650 В
Максимально допустимий струм стоку6.4 А
Опір у відкритому стані (Rds)1200 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220FP
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 900 ₴