Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65Z, 650В, 6,4А, TO220-3, набір 20 шт.

Набір із 20 транзисторів STMicroelectronics STP9NK65Z типу N-MOSFET у корпусі TO220-3. Призначений для монтажу на плату з виводами (THT). Ключові параметри: напруга стік-витік 650 В, постійний струм 6,4 А, розсіювана потужність 125 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Постійний струм стоку: 6,4 А, імпульсний: 25,6 А
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні характеристики

Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між виводами стіка та витоку становить 650 В, а напруга на затворі — ±30 В. Струм стоку в імпульсному режимі досягає 25,6 А.

Теплові та опірні параметри

Розсіювана потужність транзистора становить 125 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 1,2 Ом. Загальний заряд затвора (Qg) — 41 нКл.

Комплектація та монтаж

У комплекті постачається 20 одиниць транзисторів. Тип монтажу — THT (through-hole technology), тобто компонент встановлюється у отвори на друкованій платі. Корпус TO220-3.