Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK50Z, 500В, 7,2А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM078847
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK50Z, 500В, 7,2А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів STMicroelectronics STP9NK50Z типу N-MOSFET у корпусі TO220-3. Характеризується напругою дрена-джерела 500 В та струмом дрена 7,2 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 7,2 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™
- Захист від ESD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 500 В та максимальний струм дрена 7,2 А. Потужність розсіювання становить 110 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,85 Ом.
Особливості конструкції
Виріб виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його електричні характеристики. Корпус TO220-3 призначений для монтажу на плату методом виводів (THT). Модель має захист від електростатичного розряду (ESD).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 10 однакових транзисторів STP9NK50Z.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴