Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5, 1200В, 3,5А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ K5, призначений для роботи у високовольтних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Технологія MDmesh™ K5 для ефективної роботи
• Напруга дрена-джерела 1200 В
• Струм дрена 3,5 А (імпульсний до 12 А)
• Опір у стані провідності 2 Ом
• Корпус TO220-3 з монтажем THT
• Захист від електростатичних розрядів (ESD)
• Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1200 В та постійний струм дрена 3,5 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових перетворювачах та імпульсних блоках живлення, де важлива стабільність роботи під високим навантаженням.

Технологія MDmesh™ K5

Використання технології MDmesh™ K5 забезпечує низький опір у стані провідності, який становить 2 Ом. Така характеристика зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, підвищуючи загальну ефективність пристрою.

Надійність та монтаж

Компонент має версію ESD, що підвищує захист від електростатичних розрядів під час обробки та монтажу. Тип монтажу THT (через отвори) гарантує міцне механічне кріплення в корпусі TO220-3, що є стандартом для силових транзисторів.

Потужність розсіювання та імпульсний струм

Транзистор має потужність розсіювання 130 Вт, що визначає максимальне теплове навантаження при роботі. Імпульсний струм дрена може досягати 12 А, що дозволяє компоненту витримувати короткочасні пікові навантаження без пошкодження. Ця характеристика важлива для схем із різкими стрибками споживання енергії.