Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF12, 120В, 60А, 300Вт, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF12 — це уніполярний компонент технології STripFET™ II у корпусі TO220-3 для монтажу на плату. Набір складається з 10 елементів, призначених для роботи з напругою до 120 В та струмом до 60 А.

• Максимальна потужність розсіювання 300 Вт
• Напруга стік-витік до 120 В
• Струм стоку до 60 А
• Корпус TO220-3 для монтажу THT
• Технологія STripFET™ II
• Набір із 10 транзисторів

Потужність та електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 120 В, а максимально допустимий струм стоку — 60 А. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електронних пристроях.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3, що є стандартним для силових транзисторів. Тип монтажу — THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори в друкованій платі.

Технологія та комплектація

Транзистор виготовлений за технологією STripFET™ II від виробника STMicroelectronics. У комплекті постачається 10 однакових транзисторів.