Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF10FP, 100В, 27А, TO220FP (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF10FP — це напівпровідниковий компонент із технологією STripFET™ II, призначений для комутації в електронних пристроях. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Струм стоку 27 А для потужних силових ланцюгів
• Напруга стік-витік 100 В для високовольтних схем
• Розсіювана потужність 45 Вт забезпечує стабільну роботу
• Опір у стані провідності 15 мОм зменшує нагрівання
• Корпус TO220FP з монтажем THT для зручної пайки
• Захист ESD підвищує надійність компонентів
• Комплект із 10 транзисторів для серійного виробництва

Висока потужність та струм

Компонент розрахований на максимальний струм стоку 27 А та розсіювану потужність 45 Вт. Це дозволяє використовувати транзистор у силових ланцюгах із високим навантаженням, де важлива стабільність роботи під час тривалих навантажень.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Такі параметри гарантують безпечну експлуатацію у схемах із підвищеною напругою та захищають керуючі входи від перевантажень.

Зручний монтаж та захист

Корпус TO220FP з типом монтажу THT (скрізний монтаж) полегшує пайку та заміну компонентів. Наявність версії ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду, що підвищує надійність пристрою під час складання та експлуатації.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 15 мОм. Ця характеристика мінімізує теплові втрати на транзисторі, що сприяє підвищенню загального ККД електронного пристрою та зменшенню нагрівання компонента.

Транзистор STP80NF10FP підходить для радіоаматорів, інженерів та виробників електроніки, які потребують надійних силових ключів із високими параметрами струму та напруги у зручному для монтажу виконанні. ## Канал збагачення та уніполярність Транзистор має канал збагачення (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny). Це означає, що для відкриття каналу необхідна додатна напруга на затворі, що спрощує побудову керуючих схем із логічним рівнем та забезпечує чітке розмежування станів «відкрито» та «закрито».