Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80Z, 800В, 3,3А, TO220-3, SuperMesh (набір 10 шт.)
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM020934
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80Z, 800В, 3,3А, TO220-3, SuperMesh (набір 10 шт.)В наявності
2 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK80Z — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™, з максимальною напругою дрена-джерела 800 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,3 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Корпус: TO220-3 (THT монтаж)
- Технологія: SuperMesh™
- Захист: ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Висока напруга та надійність
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В,. Максимальний струм дрена становить 3,3 А, а розсіювана потужність — 125 Вт.
Технологія SuperMesh™
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності дорівнює 1,8 Ом,
Захист від статичного розряду
Компонент має версію ESD, що вказує на версію ESD.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 із виводами для скрізного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 880 ₴