Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N95K3, 950В, 4,5А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 630 ₴
- В наявності
- Код: TM020933
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N95K3 — це напівпровідниковий прилад із технологією SuperMESH3™, призначений для роботи у високовольтних схемах. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела: 950 В
- Струм дрена: 4,5 А
- Розсіювана потужність: 150 Вт
- Технологія SuperMESH3™
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Опір у стані провідності: 1,35 Ом
Висока напруга та потужність
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 950 В. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт, а струм дрена — 4,5 А.
Технологія SuperMESH3™
Використання технології SuperMESH3™ забезпечує низький опір у стані провідності, який дорівнює 1,35 Ом. Транзистор має версію ESD.
Зручний монтаж та комплектація
Прилад має тип монтажу THT (скрізний). Корпус TO220-3 є стандартом для силових транзисторів. Товар продається набором із 10 штук.
Транзистор STP7N95K3 призначений для електронних схем із зазначеними параметрами. Напруга затвора-джерела становить ±30 В, а канал є збагачуваним.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1350 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMESH3™ |
- Ціна: 3 630 ₴