Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP, 600В, 3.8А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі TO220FP із технологією SuperMesh™, що забезпечує ефективне розсіювання тепла та захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 3,8 А
• Розсіювана потужність: 110 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія: SuperMesh™, версія ESD
• Набір: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 3,8 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна комутація при значних навантаженнях.

Ефективне розсіювання потужності

Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт. Завдяки технології SuperMesh™ та конструкції корпусу TO220FP, компонент ефективно відводить тепло, що підвищує стабільність роботи пристрою під час тривалих навантажень.

Захист від ESD та зручний монтаж

Версія ESD забезпечує вбудований захист від електростатичного розряду, що спрощує процес монтажу та експлуатації. Компонент призначений для вивідного монтажу (THT), що робить його зручним для пайки на друковані плати.

Низький опір у стані провідності та керування затвором-джерелом 30 В

Опір у стані провідності становить 1,2 Ом, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі. Максимальна напруга затвор-джерело ±30 В дозволяє використовувати компонент у схемах із широким діапазоном керуючих сигналів. Таке поєднання параметрів забезпечує ефективну комутацію та стабільну роботу пристрою.