Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60Z, 600В, 3,8А, TO220-3, SuperMesh, ESD (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для електронних схем. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 3,8 А, потужність розсіювання: 110 Вт
• Опір у стані провідності: 1,2 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж: THT (вивідний)
• Технологія: SuperMesh™, версія з захистом ESD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 3,8 А. Потужність розсіювання становить 110 Вт, що вимагає належного теплового відведення при роботі під навантаженням.

Технологія SuperMesh та опір

Використання технології SuperMesh™ сприяє оптимізації параметрів приладу. Опір у стані провідності дорівнює 1,2 Ом, що впливає на ефективність комутації та теплові втрати в ланцюзі.

Захист ESD та монтаж

Версія ESD забезпечує підвищену стійкість до електростатичних розрядів, що знижує ризик пошкодження компонента під час обслуговування та монтажу. Прилад призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220-3.

Комплектація та застосування

У комплекті постачається 10 транзисторів STP6NK60Z. Наявність 10 одиниць у наборі зручна для прототипування або невеликих серій збірки електронних пристроїв.