Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6N95K5, 950 В, 6 А, SuperMESH5™, набір 10 шт.
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM078842
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6N95K5, 950 В, 6 А, SuperMESH5™, набір 10 шт.В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STP6N95K5 від STMicroelectronics. Це уніполярні компоненти з технологією SuperMESH5™, призначені для роботи з напругою до 950 В та струмом до 6 А.
- Напруга дрена-джерела: 950 В
- Струм дрена: 6 А
- Технологія: SuperMESH5™
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Розсіювана потужність: 90 Вт
- Опір у стані провідності: 1,25 Ом
- Комплектація: 10 шт.
Високовольтні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 950 В та максимальний струм дрена 6 А.
Ефективність завдяки SuperMESH5™
Компонент виготовлений за технологією SuperMESH5™, що забезпечує опір у стані провідності 1,25 Ом.
Монтаж та захист ESD
Транзистори мають корпус TO220-3 та призначені для монтажу в отвори (THT). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду, що важливо під час монтажу та експлуатації.
Потужність та керування затвором
Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт, а допустима напруга на затворі — ±30 В. Канал транзистора є збагачуваним, що визначає специфіку його керування в електричних колах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1250 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMESH5™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴