Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF10, 100В, 66А, 300Вт (набір 10 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM037174
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF10, 100В, 66А, 300Вт (набір 10 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF10 — це силовий напівпровідниковий прилад із каналом типу n, виготовлений за технологією STripFET™ II. Розрахований на напругу до 100 В та струм до 66 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом типу n
- Максимальна напруга стік-виток: 100 В
- Максимальний струм стоку: 66 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 23 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія виготовлення: STripFET™ II
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 100 В та постійний струм стоку 66 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 23 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори друкованої плати (THT). Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів STP60NF10.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 66 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴