
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF06, 60V, 42A, TO220-3 — набір 10 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM078840
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF06 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, розроблений на основі технології STripFET™ II.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 42 А
- Розсіювана потужність: 110 Вт
- Опір у відкритому стані: 16 мОм
- Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
- Технологія: STripFET™ II
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та витримує постійний струм стіка до 42 А. Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 16 мОм.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією STripFET™ II. Корпус TO220-3, монтаж THT (в отвори).
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 42 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴
