Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK80Z, 800В, 2,7А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 550 ₴
- В наявності
- Код: TM037173
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK80Z, 800В, 2,7А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 550 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK80Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3. Комплект складається з 10 одиниць.
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік 800 В
- Струм стіка 2,7 А
- Розсіювана потужність 110 Вт
- Корпус TO220-3 з навісним монтажем (THT)
- Вбудований захист від ESD
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 2,7 А. Напруга затвор-витік становить ±30 В, а опір у відкритому стані — 2,4 Ом.
Потужність та монтаж
Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з навісним монтажем (THT).
Технологія та захист
Транзистор має версію ESD та виготовлений за технологією PowerMesh™. Канал транзистора — збагачуваний.
Комплектація
У комплекті 10 транзисторів STP5NK80Z.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 550 ₴