
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5N80K5, 800В, 4А, TO220-3 (набір 20 шт.)
3 180 ₴
- В наявності
- Код: TM020929
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів STMicroelectronics STP5N80K5 — це N-канальні MOSFET-прилади. Компоненти розраховані на напругу 800 В та струм 4 А.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 4 А (імпульсний до 16 А)
- Розсіювана потужність: 60 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Опір у стані провідності: 1,75 Ом
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні характеристики
Транзистор STP5N80K5 має напругу дрена-джерела 800 В. Номінальний струм дрена становить 4 А, а імпульсний струм (Idm) — 16 А. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Теплові параметри та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 60 Вт. Корпус TO220-3 з монтажем THT (скрізь отвори). Низька опір у стані провідності (1,75 Ом) зменшує нагрівання компонента під час експлуатації.
Комплектація та параметри
Упаковка містить 20 однакових транзисторів. Символ виробника: STP5N80K5. Уніполярна структура та збагачуваний канал.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 180 ₴
