Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06, 60В, 35А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM037171
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06, 60В, 35А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів STMicroelectronics STP55NF06 типу N-MOSFET у корпусі TO220-3. Компонент має максимальну напругу «дрен-джерело» 60 В та постійний струм дрену 35 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга «дрен-джерело»: 60 В
- Струм дрену: 35 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: TO220-3
- Монтаж: THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор працює з напругою «дрен-джерело» до 60 В та струмом дрену 35 А. Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності дорівнює 18 мОм, що зменшує втрати енергії при відкритому каналі. Напруга «затвор-джерело» обмежена значенням ±20 В.
Тип транзистора та монтаж
Це уніполярний N-MOSFET з каналом збагачення. Компонент виконаний у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
Комплектація
У пакуванні міститься 10 транзисторів STP55NF06. Така кількість зручна для серійного монтажу або заміни компонентів у пристроях.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴