Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP, 800В, 1,89А, TO220FP (набір 10 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM078836
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP, 800В, 1,89А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором, розрахований на високу напругу та струм. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP з монтажем у отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Струм стоку: 1,89 А
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Напруга між стоком та витоком становить 800 В. Струм стоку дорівнює 1,89 А, а розсіювана потужність — 25 Вт. Напруга між затвором та витоком — ±30 В.
Корпус та конструкція
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT). Транзистор має версію ESD.
Тип та технологія
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. У виробництві застосована технологія SuperMesh™. Опір у відкритому стані становить 3,5 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.89 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴