Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150, 1500 В, 2,5 А, TO220-3 (5 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM078835
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150, 1500 В, 2,5 А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи з високою напругою. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220-3 для монтажу на друковану плату.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 2,5 А
- Розсіювана потужність: 160 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Опір у стані провідності: 7 Ом
- Комплектація: 5 шт.
Висока напруга та потужність
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1500 В (1,5 кВ) та струм дрена 2,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 160 Вт.
Технологія PowerMesh™
Прилад виготовлений за технологією PowerMesh™. Опір у стані провідності становить 7 Ом.
Зручний монтаж та комплектація
Корпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴