Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6, 600В, 19А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 19 А (постійний), 95 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 210 Вт
• Опір у стані провідності: 99 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Потужність та струмові характеристики

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 19 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 95 А, що дозволяє використовувати його в схемах із високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 210 Вт, що гарантує стабільну роботу під час тривалих навантажень.

Ефективність та опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 99 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора становить 44 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до керуючого сигналу.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3, який забезпечує надійний відвід тепла та механічну стійкість. Монтаж здійснюється методом виведень (THT), що спрощує процес пайки та заміни в готових пристроях.