Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP40NF10, 100В, 35А, TO220-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP40NF10 — це напівпровідниковий прилад технології STripFET™ II, призначений для комутації у електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 35 А
• Розсіювана потужність: 150 Вт
• Опір у стані провідності: 28 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технологія: STripFET™ II
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока потужність та струм

Прилад розрахований на максимальний струм стоку 35 А та розсіювану потужність 150 Вт. Це дозволяє використовувати транзистор у силових ланцюгах із високим навантаженням, де важлива стабільність роботи під час тривалих навантажень.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 28 мОм. Таке значення мінімізує теплові втрати на транзисторі, що підвищує загальний ККД пристрою та зменшує потребу в громіздкому охолодженні.

Уніполярна структура та канал збагачення

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany), що забезпечує стандартну логіку керування для N-MOSFET. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає допустимі межі керуючого сигналу.