Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP3NK60ZFP, 600В, 1,51А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM037168
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP3NK60ZFP, 600В, 1,51А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP3NK60ZFP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 1,51 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі TO220FP з технологією SuperMesh™ та захистом ESD.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 1,51 А
- Корпус: TO220FP
- Технологія: SuperMesh™
- Захист: версія ESD
- Комплектація: набір із 10 штук
Технічні параметри
Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 1,51 А. Опір у відкритому стані становить 3,6 Ом, а допустима напруга затвор-витік — ±30 В. Потужність розсіювання дорівнює 20 Вт.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється виводами наскрізь (THT).
Особливості технології
Виріб виготовлений за технологією SuperMesh™. Версія ESD означає відповідність вимогам щодо захисту від електростатичних розрядів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.51 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3600 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴