Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, 600В, 20А, TO220-3 (3 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM037167
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, 600В, 20А, TO220-3 (3 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N — це напівпровідниковий прилад типу MDmesh™ II у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 однакових транзисторів.
- Тип: N-MOSFET, технологія MDmesh™ II
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стоку: 20 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 20 А. Потужність розсіювання становить 250 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,105 Ом.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у стандартному корпусі TO220-3 з виводами для встановлення на друковану плату (THT).
Технологія MDmesh™ II
Використання технології MDmesh™ II від STMicroelectronics визначає характеристики транзистора як уніполярного N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга затвор-витік становить ±25 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 105 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴