Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2, 600В, 16А, TO220-3 (5 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM037166
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2, 600В, 16А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ M2 у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Напруга стік-витік 600 В
- Постійний струм стіка 16 А
- Імпульсний струм 104 А
- Розсіювана потужність 190 Вт
- Опір у відкритому стані 0,125 Ом
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Електричні характеристики
Прилад має напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 16 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 104 А, а розсіювана потужність становить 190 Вт.
Тип та монтаж
Транзистор є уніполярним з каналом збагачення. Монтаж виконується на плату (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴