Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP315N10F7, 100В, 120А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP315N10F7 — це напівпровідниковий прилад із технологією STripFET™ F7, з параметрами струму до 120 А та напруги 100 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 з виводами для монтажу на плату (THT).

• Струм стоку 120 А та імпульсний струм 720 А
• Розсіювана потужність 315 Вт
• Опір у відкритому стані 2,7 мОм
• Технологія STripFET™ F7
• Корпус TO220-3, монтаж THT
• Комплект: 5 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 120 А та імпульсний струм до 720 А. Максимальна розсіювана потужність становить 315 Вт. Напруга стік-витік дорівнює 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В.

Низький опір та технологія

Застосування технології STripFET™ F7 забезпечує низький опір у відкритому стані — 2,7 мОм. Загальний заряд затвора становить 180 нКл.

Монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з технологією монтажу THT (скрізний монтаж). У комплекті постачається 5 транзисторів.